L'azienda californiana Alta Devices ha annunciato di recente di aver stabilito, con la sua cella fotovoltaica all'arseniuro di gallio a singola giunzione, un nuovo record mondiale di efficienza di conversione pari al 29.1% .

Questo primato, certificato dal Fraunhofer ISE CalLab, segna la settima volta consecutiva che Alta Devices stabilisce un record mondiale di efficienza di conversione con questo tipo di cella fotovoltaica. Inoltre, questo successo rappresenta per l'azienda californiana il record mondiale di efficienza di conversione della tredicesima cella o modulo fotovoltaico.

A questo straordinario risultato si aggiunge per gli ingegneri della Alta Devices l'enorme soddisfazione della decisione da parte della NASA di testare la loro tecnologia fotovoltaica presso la Stazione Spaziale Internazionale al fine di valutarne l'impiego per le future missioni nell'orbita terrestre bassa, tra cui l'alimentazione dei CubeSats.

L'arseniuro di gallio (GaAs) ha diverse caratteristiche uniche: alta efficienza di conversione, eccellente resistenza ai raggi UV e alle radiazioni, flessibilità e peso ridotto. Alta Devices ha scelto di concentrarsi su questa tecnologia per i suoi vantaggi di efficienza intrinseca e per la sua capacità di generare elettricità alle alte temperature e in condizioni di scarsa illuminazione. Con il suo ultimo record di efficienza di conversione, la tecnologia fotovoltaica all'arseniuro di gallio dell'azienda californiana si propone come la tecnologia ideale per alimentare prodotti che necessitano di autonomia energetica come piccoli satelliti, veicoli aerei senza equipaggio (UAV) e veicoli autonomi, da qui la scelta da parte della NASA.

Oltre ai predetti progressi tecnologici, Alta Devices ha cambiato anche l'economia di produzione del fotovoltaico per consentire formati e fattori di forma che prima non erano possibili. L'arseniuro di gallio, come ben sappiamo, è in genere costoso da produrre. Tuttavia, gli ingegneri della Alta Devices hanno messo a punto una tecnica di produzione che sviluppa strati estremamente sottili di GaAs (una frazione dello spessore delle altre celle fotovoltaiche GaAs presenti sul mercato). Attualmente, le celle fotovoltaiche GaAs dell'azienda californiana hanno uno spessore di circa un micron: per confronto, un capello umano ha uno spessore di circa 40 micron. Utilizzando uno strato molto sottile di materiale con la più alta densità di energia possibile, la quantità di materiale necessaria risulta bassa, pertanto i costi potenziali di produzione possono essere drasticamente ridotti.

 

fonte: Alta Devices

   
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